STT RAM 的原先目的是要設計成一個快速的非揮發性記憶體。基本上，它想要集 SRAM、DRAM 與 flash 的所有好處於一身，又快、又永久儲存、單價又低，變成一統江湖的 universal memory。目前的現況離此一目標還有一段距離。從好的來說，它比
flash 速度快上百倍，比 SRAM 與 DRAM 的資料儲存期要長，比 SRAM 的尺寸要小；從壞的來說，它的速度還追不上 DRAM，遑論 SRAM。而單價比 DRAM、flash 都高很多。在節能方面，它雖然比三種記憶都好，但是寫入電流還是太大，影響了它的元件特性。
一個以 MTJ 為儲存單元的元件有以下特性要注意。
壹、熱穩定性
一個位元資料是否能長久保存，要看保存資料的儲存方式與它在外在環境下資料的穩定性。對於 MTJ 來講，資料是靠自由層磁化的方向來保存。磁化的方向，如前所述，可能因為受熱擾動影響而翻轉。所以要提高它的熱穩定性。這個特性可以予以量化，一般稱之為 Δ，為磁各向異性能與熱能的比值。熱能是波玆曼常數 [1] 乘以溫度(克氏溫度)，而磁各向異性能基本上與要翻轉磁化方向所需的能量相關。這個比值越大，代表熱能越不可能偶發性的翻轉磁化方向，造成儲存資料的錯誤。
理論上當 Δ值大於 43時 MTJ上的資料就可以保持 10年，但是實際上
產業在設計元件時大都將Δ值設定在大於 60以上，以包容生產製造過程中所產生的變異。
Δ值依賴於 MTJ 的薄膜物質、結構、厚度、大小等因素，這是產業的核心技術之一。值得提醒的是資料保留時間對於 Δ 是指數型的依賴。Δ 的些許變化就會對資料保留時間長短造成巨大影響。
貳、TMR 比值
TMR比值已於前文定義，基本上它就約略為 MTJ中兩鐵磁層磁化反平行、平行態的阻值比。當 MTJ通入讀取電流時，檢測放大器接著讀取這狀態的電壓，與一參考電壓比較，判別 MTJ處於平行或反平行的狀態。理論上 TMR 比值越高，平行或反平行的狀態的電壓訊號差距越大，檢測放大器就越快速、正確的讀出訊號。
TMR比值也依賴於 MTJ 的薄膜物質、結構、厚度等因素。理論上是越大越好，但是它也與其它元件特性有一些關連，現在的的元件TMR比值大概介於 100%~200% 之間。
參、寫入電流
最小能夠翻轉自由層磁化方向的電流叫臨界電流。但是磁化方向的翻轉是量子的現象，帶有機率的特性。為了讓寫入可以在較短的時間內確定完成，通常設計上真正的寫入電流要較臨界電流大。
寫入電流與其它的特性也有相關。如果磁各向異性能比較大，要翻轉磁化方向就需要耗費比較大的能量，提供翻轉的力量，也就是要較大的寫入電流。但是寫入電流大則能耗就會升高，還有其它元件的特性會受到影響。
肆、耐受性
電子元件的一個障礙是電子在移動中造成元件結構的損傷，使得其耐受性降低。這個問題在製程微縮的過程中挑戰日益嚴峻，因為元件變得更單薄、更容易因為大電流、高電壓的緣故受損。以 flash 為例，剛問世時的耐受性都保證可以寫入百萬次以上。製程微縮至今，寫入次數的規格驟降至 3,000。原因是元件尺寸變小了，然而要將電子移至儲存的地方或自其中釋出都還是需要相同的高壓，中間所經過的氧化層在重複的操作後終於被穿透 (punch through) 而儲存單元就此失效。
STT RAM 由於在改為 STT 的翻轉機制後，大的寫入電流就流經 MTJ，氧化層 MgO 便反覆受電流經過。MgO 的厚度不能太厚，否則 TMR 效應就消失了，但是太薄就容易受傷。
由以上諸種的元件參數來看，STT RAM 目前的進展尚無法達到當初期望的快速、永久儲存、無窮多的寫入次數的特性。各種元件參數之見還有彼此的關連，譬如如果要長的資料保存時間，可能就要犧牲速度、能耗及耐受性。但是由於這些參數的優劣是可以交互取捨的，所以在此階段 STT RAM 比較實際的設計方式是依應用的目的來優化其中某些參數。長期的發展方向仍是在改良結構、材料、磁化方向翻轉機制，將寫入電流降低至少一個階秩，就有可能達成當初期望的 universal memory 的目的。
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