東芝在我剛入半導體行業時與 NEC 還分居 DRAM 供應商的第二、三名,不久之後因韓、美、德、台製造商的急速興起,黯然的從 DRAM 市場倉促撤退。他們集團據云在那之前已投入 10B USD 於 flash 的研發。所以在 flash 的市場興起時,意氣風發。後來又將 flash 在晶圓上蓋起高樓-3D NANA flash-重點是記憶體的容量大幅增加-原先是32 倍的增加,現在是 64 倍了,而製程只增加了四層光罩,成本只小幅增加。所以用 3D NAND flash 做的固態硬碟 SSD 預計在明年每位元的成本會低於傳統硬碟而變成市場主流。
它的重要性是 3D 的製程與摩耳定律都是半導體重要的經濟的動力。過去半導體要增加經濟價值,唯一的方法是製程微縮。但是業界今年已將進入 10 nm 的試產,極目天涯,可見的只有 7 nm、5 nm、3 nm 三個製程節點,再下去已經不好說了,因為有些分子的單位結構,譬如拓樸絕緣體的 Bi2Se3,一個單位就 6 nm 大了。現在的摩耳定律已經在測試人類操控單一原分子、電子的能力極限了。
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